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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
退火炉结构特点:
1.容积:0.3~200 m?
2.最高使用温度:500~1200 ℃
3.能源:燃气或燃油
4.烧嘴:高速等温(调温)烧嘴
5.烧嘴数量:由窑炉容积确定
6.控温方式:自动或人工控温
7.内衬材料:耐火纤维或轻质耐火砖(氧化铝空心球砖、轻质莫来石砖)
8.结构型式:拱券或吊顶,旋焰,车下排烟
9.适应产品:各类钢材退火,陶瓷、耐火材料、砂轮、粉体或颗粒料等
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